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参数目录41715
> IRF1324STRL-7PP MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7
型号:
IRF1324STRL-7PP
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF1324STRL-7PP PDF
产品目录绘图
IR Hexfet D2PAK-7
标准包装
800
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
24V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
240A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1 毫欧 @ 160A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
252nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
7700pF @ 19V
功率 - 最大
300W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商设备封装
D2PAK(7-Lead)
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1524 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
IRF1324STRL-7PPTR
查看IRF1324STRL-7PP代理商
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